QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using s proprietary, planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for low voltage applications such as DC/DC converters, high efficiency switching for power management in portable and battery operated products.
Product Highlights
15A, 60V, R
DSon
= 0.06
W
@V
GS
= 10 V
Low gate charge typical 11.5 nC
Low Crss typical 25 pF
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
175°C maximum junction temperature rating
额定电压DC 60.0 V
额定电流 15.0 A
额定功率 30 W
漏源极电阻 60.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 15.0 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 590pF @25VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQPF20N06 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STP36NF06FP 意法半导体 | 功能相似 | FQPF20N06和STP36NF06FP的区别 |
FQPF20N06L 安森美 | 功能相似 | FQPF20N06和FQPF20N06L的区别 |