FJP13007H1TU参数规格_中文资料_数据手册PDF

FJP13007H1TU概述

高压开关模式的应用 High Voltage Switch Mode Application

Bipolar BJT Transistor

得捷:
TRANS NPN 400V 8A TO220-3

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Sil Transistor

艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin3+Tab TO-220 T/R

安富利:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin3+Tab TO-220 T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin3+Tab TO-220 T/R

Win Source:
TRANS NPN 400V 8A TO-220

FJP13007H1TU中文资料参数规格

技术参数

频率 4 MHz

额定电压DC 400 V

额定电流 8.00 A

极性 NPN

耗散功率 80 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 15 @2A, 5V

额定功率Max 80 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 80000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJP13007H1TU

型号： FJP13007H1TU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：高压开关模式的应用 High Voltage Switch Mode Application

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替代型号FJP13007H1TU

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FJP13007H1TU Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FJP13007H1 飞兆/仙童	完全替代	FJP13007H1TU和FJP13007H1的区别
MJE13007G 安森美	功能相似	FJP13007H1TU和MJE13007G的区别
ST13007 意法半导体	功能相似	FJP13007H1TU和ST13007的区别