FDS4488参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDS4488概述

30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

Mosfet Array

得捷:
0.0079A, 30V, N-CHANNEL MOSFET

立创商城:
N沟道 30V 7.9A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC N T/R

富昌:
Single N-Channel 30 V 22 Ω Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC N T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC N T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC

FDS4488中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 7.90 A

漏源极电阻 22.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

输入电容 927 pF

栅电荷 9.50 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 7.90 A

上升时间 7.5 ns

输入电容Ciss 927pF @15VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS4488

型号： FDS4488

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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替代型号FDS4488

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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