FDD6612A

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FDD6612A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 30.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 20 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 36 W

阈值电压 2 V

输入电容 660 pF

栅电荷 6.70 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 660pF @15VVds

额定功率Max 1.3 W

下降时间 4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 36 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDD6612A
型号: FDD6612A
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDD6612A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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