PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET, Semiconductor
PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
欧时:
Fairchild Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET 晶体管 FDMA1027P, 3 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
贸泽:
MOSFET MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin MLP EP T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin MLP EP T/R
富昌:
Dual P-Channel 20 V 120 mΩ 4 nC SMT PowerTrench® Mosfet - MicroFET 2x2
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin MLP EP T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin MLP EP T/R
Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
DeviceMart:
MOSFET P-CH 20V DUAL MICROFET
极性 P-Channel
耗散功率 1.4 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 2.20 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 435pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WDFN-6
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 WDFN-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FDMA1027P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDMA1027PT 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDMA1027P和FDMA1027PT的区别 |