FDMA1027P

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FDMA1027P概述

PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET, Semiconductor

PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。

最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。

PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。


欧时:
Fairchild Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET 晶体管 FDMA1027P, 3 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装


贸泽:
MOSFET MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin MLP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin MLP EP T/R


富昌:
Dual P-Channel 20 V 120 mΩ 4 nC SMT PowerTrench® Mosfet - MicroFET 2x2


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin MLP EP T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin MLP EP T/R


Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET


DeviceMart:
MOSFET P-CH 20V DUAL MICROFET


FDMA1027P中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 1.4 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2.20 A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 435pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WDFN-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 0.75 mm

封装 WDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDMA1027P
型号: FDMA1027P
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDMA1027P
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FDMA1027P

Fairchild 飞兆/仙童

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飞兆/仙童

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