FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4435A 晶体管, MOSFET, P沟道, 9 A, -30 V, 17 mohm, -10 V, -1.7 V
P-Channel 30V 9A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SOIC
得捷:
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
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FDS4435A
贸泽:
MOSFET SO-8 P-CH -30V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
FDS4435A 系列 30 V 0.017 Ohm P 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4435A MOSFET Transistor, P Channel, 9 A, -30 V, 17 mohm, -10 V, -1.7 V
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -9.00 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 17 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 -250 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 2010pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
宽度 3.9 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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