FDFMA2P853T概述
集成的P沟道的PowerTrench MOSFET和肖特基二极管 Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode
P-Channel 20 V 3A Ta 1.4W Ta Surface Mount 6-MicroFET 2x2
得捷:
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
立创商城:
P沟道 20V 3A
贸泽:
MOSFET MOSFET/Schottky -20V Int. PCh PowerTrench
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin MicroFET T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
FDFMA2P853T中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 1.4 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 3A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 435pF @10VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.4W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 MicroFET-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 MicroFET-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDFMA2P853T
型号： FDFMA2P853T
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：集成的P沟道的PowerTrench MOSFET和肖特基二极管 Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode