FQP4N50

FQP4N50图片1
FQP4N50图片2
FQP4N50图片3
FQP4N50图片4
FQP4N50图片5
FQP4N50概述

500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

N-Channel 500 V 3.4A Tc 70W Tc Through Hole TO-220-3


得捷:
3.4A, 500V, 2.7OHM, N-CHANNEL MO


立创商城:
N沟道 500V 3.4A


贸泽:
MOSFET 500V N-Channel QFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


FQP4N50中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 3.40 A

漏源极电阻 2.70 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 3.40 A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 460pF @25VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP4N50
型号: FQP4N50
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
替代型号FQP4N50
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQP4N50

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

STP4NK50Z

意法半导体

功能相似

FQP4N50和STP4NK50Z的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台