FQD8P10TM_F085

增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

增强模式 P 通道 MOSFET， Semiconductor

增强模式场效应使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

得捷:
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3

欧时:
Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD8P10TM_F085, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

富昌:
FQD8P10TM_F085 系列 100 V 6.6 A 0.53 Ohm P 沟道 MOSFET - DPAK

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3