FDMB668P概述
P沟道1.8V逻辑电平的PowerTrench MOSFET的-20V ， -6.1A ， 35mohm P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET -20V, -6.1A, 35mohm
P-Channel 20 V 6.1A Ta 1.9W Ta Surface Mount 8-MLP, MicroFET 3x1.9
得捷:
MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
立创商城:
P沟道 20V 6.1A
贸泽:
MOSFET -20V P-Ch 1.8V Lgic Lvl PT MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 6.1A 8-Pin MicroFET T/R
FDMB668P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 35 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.9 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 6.1A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 2085pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.9W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 MLP-8
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.9 mm
高度 0.8 mm
封装 MLP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDMB668P
型号： FDMB668P
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：P沟道1.8V逻辑电平的PowerTrench MOSFET的-20V ， -6.1A ， 35mohm P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET -20V, -6.1A, 35mohm