PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor
N-Channel 30 V 15A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SOIC
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
FDS8896 系列 N沟道 30 V 6 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8896 MOSFET Transistor, N Channel, 15 A, 30 V, 0.0049 ohm, 10 V, 1.2 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
额定电压DC 30.0 V
额定电流 15.0 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.0049 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.2 V
输入电容 2.52 nF
栅电荷 50.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 15.0 A
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 2525pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDS8896 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STS14N3LLH5 意法半导体 | 功能相似 | FDS8896和STS14N3LLH5的区别 |
SI4156DY-T1-GE3 威世 | 功能相似 | FDS8896和SI4156DY-T1-GE3的区别 |