FQD2N60CTM_WS

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FQD2N60CTM_WS中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 4.7 Ω

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta, 44W Tc

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 1.9A

输入电容Ciss 235pF @25VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 44W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: FQD2N60CTM_WS
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3Pin2+Tab DPAK T/R

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