FQP2N30

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FQP2N30中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 2.10 A

极性 N-CH

耗散功率 40W Tc

漏源极电压Vds 300 V

连续漏极电流Ids 2.10 A

输入电容Ciss 130pF @25VVds

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: FQP2N30
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET

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