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FQPF4N25中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 32W Tc

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 2.8A

输入电容Ciss 200pF @25VVds

耗散功率Max 32W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQPF4N25

型号： FQPF4N25

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET

替代型号FQPF4N25

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

FQPF4N25

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

2SK2750

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