FQP5N20

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FQP5N20中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 4.50 A

漏源极电阻 1.20 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 52W Tc

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

输入电容Ciss 270pF @25VVds

耗散功率Max 52W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: FQP5N20
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

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