FDMS0309AS概述
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8Pin Power 56 EP
N-Channel 30V 21A Ta, 49A Tc 2.5W Ta, 50W Tc Surface Mount 8-PQFN 5x6
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
贸泽:
MOSFET Gaming/DT/Notebook/NVDC/Server
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin Power 56 EP
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin Power 56 EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 21A PT8
FDMS0309AS中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
极性 N-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 4.5 ns
输入电容Ciss 3000pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 3.7 ns
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 Power-56-8
外形尺寸
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 1.1 mm
封装 Power-56-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
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