PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 3.8A 700mW Surface Mount 6-MicroFET 2x2
得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
贸泽:
MOSFET 30V Dual N-Channel
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 6-Pin MicroFET T/R
富昌:
30V, 3.8A, 68MOHM, PQFN 2x2 6L, DUAL N-CH
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 6-Pin MicroFET T/R
Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
极性 N-CH
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.8A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 375pF @15VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 2.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 MicroFET-6
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.8 mm
封装 MicroFET-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free