FDMA3028N

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FDMA3028N概述

PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 3.8A 700mW Surface Mount 6-MicroFET 2x2


得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI


贸泽:
MOSFET 30V Dual N-Channel


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 6-Pin MicroFET T/R


富昌:
30V, 3.8A, 68MOHM, PQFN 2x2 6L, DUAL N-CH


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 6-Pin MicroFET T/R


Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET


FDMA3028N中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.8A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 375pF @15VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 2.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 MicroFET-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 0.8 mm

封装 MicroFET-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMA3028N
型号: FDMA3028N
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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