FQB4N20LTM

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FQB4N20LTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 3.80 A

通道数 1

漏源极电阻 1.35 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.13 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.80 A

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 310pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3.13W Ta, 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQB4N20LTM
型号: FQB4N20LTM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3Pin2+Tab D2PAK T/R
替代型号FQB4N20LTM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQB4N20LTM

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

IRFW610BTM_FP001

飞兆/仙童

功能相似

FQB4N20LTM和IRFW610BTM_FP001的区别

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