FQP3N60C

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FQP3N60C中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 3.40 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 75 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 565pF @25VVds

额定功率Max 75 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP3N60C
型号: FQP3N60C
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
替代型号FQP3N60C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQP3N60C

Fairchild 飞兆/仙童

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