N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET
N-Channel 30V 12.5A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SOIC
得捷:
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
贸泽:
MOSFET 30V 12.5A 8.2 OHMS NCH
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
FDS8876 系列 N沟道 30 V 8.2 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC N T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
额定电压DC 30.0 V
额定电流 12.5 A
通道数 1
漏源极电阻 6.8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 1.65 nF
栅电荷 28.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 12.5 A
上升时间 34 ns
输入电容Ciss 1650pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS8876 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS6672A 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDS8876和FDS6672A的区别 |
FDS8876_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDS8876和FDS8876_NL的区别 |