PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET， Semiconductor
设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能
高性能通道技术，RDS（接通）极低
SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管
应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关
### MOSFET ，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
额定电压DC 30.0 V
额定电流 8.20 A
漏源极电阻 15.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 2.81 nF
栅电荷 25.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 6.90 A, 8.20 A
上升时间 8.00 ns
输入电容Ciss 800pF @15VVds
额定功率Max 900 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS6994S Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS6994S_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDS6994S和FDS6994S_NL的区别 |