NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
The is a high voltage fast-switching NPN epitaxial planar Power Transistor. The FJP13009H2TU is available with multiple hFE bin classes for ease of design use. Designed for high speed switching applications and offers excellent power dissipation.
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- High voltage capability
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- High switching speed
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- 700V Collector-base voltage
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- 9V Emitter-base voltage
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- 6A Base current
频率 4 MHz
额定电压DC 400 V
额定电流 12.0 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 100 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 12A
最小电流放大倍数hFE 15 @5A, 5V
额定功率Max 100 W
直流电流增益hFE 8
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 100000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 9.9 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FJP13009H2TU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FJP13009TU 飞兆/仙童 | 类似代替 | FJP13009H2TU和FJP13009TU的区别 |
ST13009 意法半导体 | 功能相似 | FJP13009H2TU和ST13009的区别 |