PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel 20 V 21A Ta 3.3W Ta, 33W Tc Surface Mount TO-252AA
得捷:
MOSFET N-CH 20V 21A TO252
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 21A 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 21A 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 21A 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 21A 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK
DeviceMart:
MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK
额定电压DC 20.0 V
额定电流 21.0 A
漏源极电阻 32.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 33 W
输入电容 710 pF
栅电荷 6.50 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 710pF @10VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.3W Ta, 33W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99