N 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET,带肖特基二极管,Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET,带肖特基二极管, Semiconductor
设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关
独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗
欧时:
### N 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET,带肖特基二极管,Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET 30V 4A 56OHM NCH POWER TRENCH
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
FDFS6N754 系列 30 V 56 mOhm 集成 N 沟道 PowerTrench® Mosfet SOIC-8
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 2W; SO8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
额定电压DC 30.0 V
额定电流 4.00 A
通道数 1
漏源极电阻 0.056 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 299 pF
栅电荷 6.00 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 299pF @15VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99