FDFS6N754

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FDFS6N754概述

N 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET,带肖特基二极管,Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET,带肖特基二极管, Semiconductor

设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关

独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗


欧时:
### N 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET,带肖特基二极管,Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET 30V 4A 56OHM NCH POWER TRENCH


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
FDFS6N754 系列 30 V 56 mOhm 集成 N 沟道 PowerTrench® Mosfet SOIC-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 2W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC


FDFS6N754中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 4.00 A

通道数 1

漏源极电阻 0.056 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1.7 V

输入电容 299 pF

栅电荷 6.00 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 299pF @15VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDFS6N754
型号: FDFS6N754
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET,带肖特基二极管,Fairchild Semiconductor 设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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