FDMB3900AN中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1.6 W
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 890pF @13VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1600 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerWDFN-8
外形尺寸
高度 0.75 mm
封装 PowerWDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDMB3900AN
型号： FDMB3900AN
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：nullDual N沟道功率Trench® MOSFETTM 25 V ， 7.0 A， 23英里© nullDual N-Channel Power Trench® MOSFETTM 25 V, 7.0 A, 23 mΩ