FDS8690参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDS8690中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0063 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

输入电容Ciss 1680pF @15VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS8690

型号： FDS8690

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8690 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.6 V

替代型号FDS8690