FDS6294

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FDS6294概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6294  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 11.3 mohm, 10 V, 1.8 V

N-Channel 30V 13A Ta 3W Ta Surface Mount 8-SOIC


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDSON and fast switching speed.


富昌:
FDS6294 系列 30V 11.3 mOhm N 沟道 快速开关 PowerTrench Mosfet SOIC-8


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 3W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6294  MOSFET Transistor, N Channel, 13 A, 30 V, 11.3 mohm, 10 V, 1.8 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC


FDS6294中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 13.0 A

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 11.3 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

阈值电压 1.8 V

输入电容 1.21 nF

栅电荷 10.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 13.0 A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 1205pF @15VVds

额定功率Max 1.2 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

FDS6294引脚图与封装图
FDS6294引脚图
FDS6294封装焊盘图
在线购买FDS6294
型号: FDS6294
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6294  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 11.3 mohm, 10 V, 1.8 V
替代型号FDS6294
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDS6294

Fairchild 飞兆/仙童

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当前型号

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