FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6294 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 11.3 mohm, 10 V, 1.8 V
N-Channel 30V 13A Ta 3W Ta Surface Mount 8-SOIC
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDSON and fast switching speed.
富昌:
FDS6294 系列 30V 11.3 mOhm N 沟道 快速开关 PowerTrench Mosfet SOIC-8
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 3W; SO8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6294 MOSFET Transistor, N Channel, 13 A, 30 V, 11.3 mohm, 10 V, 1.8 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
额定电压DC 30.0 V
额定电流 13.0 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 11.3 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 1.8 V
输入电容 1.21 nF
栅电荷 10.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 1205pF @15VVds
额定功率Max 1.2 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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