PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel 30V 6.5A Ta 3W Ta Surface Mount SOT-223-4
得捷:
6.5A, 30V, 0.035OHM, N-CHANNEL,
立创商城:
N沟道 30V 6.5A
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET SOT-223 N-CH 30V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT459N MOSFET Transistor, N Channel, 6.5 A, 30 V, 31 mohm, 10 V, 1.6 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223
额定电压DC 30.0 V
额定电流 6.50 A
漏源极电阻 0.031 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 1.6 V
输入电容 365 pF
栅电荷 12.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.50 A
上升时间 8.2 ns
输入电容Ciss 365pF @15VVds
额定功率Max 1.1 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDT459N Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDT457N 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDT459N和FDT457N的区别 |
STN4NF03L 意法半导体 | 功能相似 | FDT459N和STN4NF03L的区别 |