FDT459N

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FDT459N概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 30V 6.5A Ta 3W Ta Surface Mount SOT-223-4


得捷:
6.5A, 30V, 0.035OHM, N-CHANNEL,


立创商城:
N沟道 30V 6.5A


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET SOT-223 N-CH 30V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDT459N  MOSFET Transistor, N Channel, 6.5 A, 30 V, 31 mohm, 10 V, 1.6 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223


FDT459N中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 6.50 A

漏源极电阻 0.031 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

阈值电压 1.6 V

输入电容 365 pF

栅电荷 12.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 6.50 A

上升时间 8.2 ns

输入电容Ciss 365pF @15VVds

额定功率Max 1.1 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDT459N
型号: FDT459N
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDT459N
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDT459N

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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