PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
The is a 2.5V specified P-channel MOSFET in a rugged gate version of Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage 2.5 to 12V. It can be used in load switch and battery protection.
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- Fast switching speed
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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- High power and current handling capability
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- 43nC Typical low gate charge
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -11.0 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 4.04 nF
栅电荷 43.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 4044pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 79 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS6576 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
NTMS10P02R2G 安森美 | 功能相似 | FDS6576和NTMS10P02R2G的区别 |
TPS1100D 德州仪器 | 功能相似 | FDS6576和TPS1100D的区别 |
TPS1100DR 德州仪器 | 功能相似 | FDS6576和TPS1100DR的区别 |