FQPF13N10L

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FQPF13N10L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 8.7A

上升时间 220 ns

输入电容Ciss 520pF @25VVds

额定功率Max 30 W

下降时间 72 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买FQPF13N10L
型号: FQPF13N10L
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFET

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