PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS ON and fast switching speed.
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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- High power and current handling capability
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- 35nC Typical low gate charge
额定电压DC 40.0 V
额定电流 11.0 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.01 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.2 V
输入电容 4.77 nF
栅电荷 35.0 nC
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 9.00 ns
输入电容Ciss 4766pF @20VVds
额定功率Max 1.2 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS4672A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS4780 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDS4672A和FDS4780的区别 |
SQ4840EY-T1-GE3 Vishay Siliconix | 类似代替 | FDS4672A和SQ4840EY-T1-GE3的区别 |