N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
N-Channel 30 V 80A Ta 68W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
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N沟道 30V 80A
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Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
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# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP6670AL MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 1.9 V
Win Source:
N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
漏源极电阻 0.0065 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 75 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 2440pF @15VVds
额定功率Max 68 W
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 68W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDP6670AL Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STP80NF03L-04 意法半导体 | 功能相似 | FDP6670AL和STP80NF03L-04的区别 |
FDB8896 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDP6670AL和FDB8896的区别 |
STP85N3LH5 意法半导体 | 功能相似 | FDP6670AL和STP85N3LH5的区别 |