FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9400A 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.4 A, -30 V, 0.105 ohm, -10 V, -1.8 V
P-Channel 30V 3.4A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SOIC
得捷:
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
立创商城:
P沟道 30V 3.4A
欧时:
### PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET SO-8
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
FDS9400A 系列 30 V 130 mOhm P沟道 PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9400A MOSFET Transistor, P Channel, -3.4 A, -30 V, 0.105 ohm, -10 V, -1.8 V
DeviceMart:
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -3.40 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.105 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 205 pF
栅电荷 2.40 nC
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 3.40 A
上升时间 12.5 ns
输入电容Ciss 205pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.575 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDS9400A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STS5PF30L 意法半导体 | 功能相似 | FDS9400A和STS5PF30L的区别 |