FQU2N90TU_AM002参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQU2N90TU_AM002中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta, 50W Tc

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 1.7A

输入电容Ciss 500pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQU2N90TU_AM002

型号： FQU2N90TU_AM002

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3Pin3+Tab IPAK Rail

替代型号FQU2N90TU_AM002

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

FQU2N90TU_AM002

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

FQU2N90TU

飞兆/仙童

类似代替

FQU2N90TU_WS

飞兆/仙童

类似代替