FQB5N20TM参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQB5N20TM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 4.50 A

漏源极电阻 1.20 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.13 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 55 ns

输入电容Ciss 270pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.13W Ta, 52W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQB5N20TM

型号： FQB5N20TM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET N-CH 200V 4.5A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

替代型号FQB5N20TM