FDD8453LZ中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 3.1 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 16.4A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 3515pF @20VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 65W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDD8453LZ
型号： FDD8453LZ
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDD8453LZ
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD8453LZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
TK50P04M1 东芝 | 功能相似 | FDD8453LZ和TK50P04M1的区别 |