FQB8P10TM

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FQB8P10TM概述

Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

P-Channel 100 V 8A Tc 3.75W Ta, 65W Tc Surface Mount D2PAK TO-263


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
FQB8P10 系列 100 V 0.53 Ohm 表面贴装 P沟道 MosFet - D2PAK


Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK


DeviceMart:
MOSFET PCH 100V 8A D2PAK


FQB8P10TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -8.00 A

漏源极电阻 530 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 3.75 W

漏源极电压Vds 100 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 110 ns

输入电容Ciss 470pF @25VVds

额定功率Max 3.75 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.75W Ta, 65W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQB8P10TM
型号: FQB8P10TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3Pin2+Tab D2PAK T/R
替代型号FQB8P10TM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Fairchild 飞兆/仙童

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