FQI5N20LTU

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FQI5N20LTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 4.50 A

极性 N-CH

耗散功率 3.13 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 90 ns

输入电容Ciss 325pF @25VVds

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.13W Ta, 52W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 4.83 mm

高度 7.88 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQI5N20LTU
型号: FQI5N20LTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 200V 4.5A 3Pin3+Tab I2PAK Rail

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