P沟道 200V 2.2A
P-Channel 200 V 2.2A Tc 32W Tc Through Hole TO-220F-3
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MOSFET P-CH 200V 2.2A TO220F
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MOSFET 200V P-Channel QFET
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Trans MOSFET P-CH 200V 2.2A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
额定电压DC -200 V
额定电流 -2.20 A
通道数 1
漏源极电阻 2.7 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 32 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 2.20 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 250pF @25VVds
额定功率Max 32 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 32W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99