FQPF17N08

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FQPF17N08中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 16.5 A

漏源极电阻 115 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 30W Tc

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 11.2 A

输入电容Ciss 450pF @25VVds

额定功率Max 30 W

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: FQPF17N08
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET

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