N沟道MOSFET PowerTrench® N-Channel PowerTrench® MOSFET
General Description
The has been designed to minimize losses in conversion application. Advancements in both silicon rDSon while maintaining excellent switching performance. power and package technologies have been combined to offer the lowest
Features
Max rDSon= 9.5 m:at VGS= 10 V,ID= 13.5 A
Max rDSon= 14.5 m:at VGS= 4.5 V, ID= 10.9 A
Advanced Package and Silicon combination for low rDSon and high efficiency
MSL1 robust package design
RoHS Compliant
通道数 1
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 42 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 13.5A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 1585pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 42W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 1.1 mm
封装 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDMS8888 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD17507Q5A 德州仪器 | 功能相似 | FDMS8888和CSD17507Q5A的区别 |
CSD17551Q5A 德州仪器 | 功能相似 | FDMS8888和CSD17551Q5A的区别 |
CSD17327Q5A 德州仪器 | 功能相似 | FDMS8888和CSD17327Q5A的区别 |