FQS4900TF概述
Trans MOSFET N/P-CH 60V/300V 1.3A/0.3A 8Pin SOP T/R
Mosfet Array N and P-Channel 60V, 300V 1.3A, 300mA 2W Surface Mount 8-SOIC
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQS4900TF中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2000 mW
漏源极电压Vds 60V, 300V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 300 mA
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
宽度 3.9 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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替代型号FQS4900TF
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQS4900TF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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