FDMC8878 系列 30 V 14 mOhm N 沟道 Power Trench Mosfet - Power 33
N-Channel 30V 9.6A Ta, 16.5A Tc 2.1W Ta, 31W Tc Surface Mount 8-MLP 3.3x3.3
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
立创商城:
N沟道 30V 16.5A 9.6A
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC8878 MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0096OHM, 16.5A, MLP-8
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 9.6A 8-Pin Power 33 T/R
富昌:
FDMC8878 系列 30 V 14 mOhm N 沟道 Power Trench Mosfet - Power 33
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 9.6A 8-Pin Power 33 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin Power 33 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC8878 MOSFET Transistor, N Channel, 16.5 A, 30 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0096 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 31 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 1.23 nF
栅电荷 26.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 9.60 A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 1230pF @15VVds
额定功率Max 2.1 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 31W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-33-8
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 0.95 mm
封装 Power-33-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FDMC8878 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDMC8884 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDMC8878和FDMC8884的区别 |
FDMC8882 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDMC8878和FDMC8882的区别 |
FDMC8878_F126 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDMC8878和FDMC8878_F126的区别 |