FDMC8878

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FDMC8878概述

FDMC8878 系列 30 V 14 mOhm N 沟道 Power Trench Mosfet - Power 33

N-Channel 30V 9.6A Ta, 16.5A Tc 2.1W Ta, 31W Tc Surface Mount 8-MLP 3.3x3.3


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9


立创商城:
N沟道 30V 16.5A 9.6A


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC8878  MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0096OHM, 16.5A, MLP-8


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 9.6A 8-Pin Power 33 T/R


富昌:
FDMC8878 系列 30 V 14 mOhm N 沟道 Power Trench Mosfet - Power 33


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 9.6A 8-Pin Power 33 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin Power 33 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC8878  MOSFET Transistor, N Channel, 16.5 A, 30 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33


FDMC8878中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0096 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 31 W

阈值电压 1.7 V

输入电容 1.23 nF

栅电荷 26.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 9.60 A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 1230pF @15VVds

额定功率Max 2.1 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta, 31W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 3 mm

高度 0.95 mm

封装 Power-33-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDMC8878
型号: FDMC8878
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FDMC8878 系列 30 V 14 mOhm N 沟道 Power Trench Mosfet - Power 33
替代型号FDMC8878
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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