FDS8333C中文资料参数规格
技术参数
额定电流 4.10 A
漏源极电阻 80 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 185 pF
栅电荷 4.10 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.40 A
上升时间 13.0 ns
输入电容Ciss 282pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDS8333C
型号： FDS8333C
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：30V N" P沟道PowerTrench MOSFET的 30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs
替代型号FDS8333C
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS8333C Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS8333C_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDS8333C和FDS8333C_NL的区别 |