N沟道， PowerTrench MOSFET N-Channel, PowerTrench⑩ MOSFET
N-Channel 60 V 8.5A Ta 2.8W Ta, 60W Tc Surface Mount TO-252AA
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 38A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
FDD5680 系列 60 V 21 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 38A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD5680 MOSFET Transistor, N Channel, 8.5 A, 60 V, 17 mohm, 10 V, 2.4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK
额定电压DC 60.0 V
额定电流 38.0 A
漏源极电阻 0.017 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
阈值电压 2.4 V
输入电容 1.83 nF
栅电荷 33.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 8.50 A
上升时间 9.00 ns
输入电容Ciss 1835pF @30VVds
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 60W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD5680 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STD35NF06T4 意法半导体 | 功能相似 | FDD5680和STD35NF06T4的区别 |
STD30NF06T4 意法半导体 | 功能相似 | FDD5680和STD30NF06T4的区别 |