FQPF10N50CF

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FQPF10N50CF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 10.0 A

通道数 1

漏源极电阻 610 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 48 W

输入电容 2.10 nF

栅电荷 56.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 80 ns

输入电容Ciss 2096pF @25VVds

额定功率Max 48 W

下降时间 80 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.9 mm

高度 15.87 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF10N50CF
型号: FQPF10N50CF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:500V N沟道MOSFET改进dv / dt能力 500V N-Channel MOSFET Improved dv/dt capability
替代型号FQPF10N50CF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQPF10N50CF

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

STP11NK50ZFP

意法半导体

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FQPF10N50CF和STP11NK50ZFP的区别

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