FQPF3N30

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FQPF3N30中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 2.2 Ω

极性 N-CH

耗散功率 20 W

漏源极电压Vds 300 V

漏源击穿电压 300 V

连续漏极电流Ids 1.95A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 230pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 20W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: FQPF3N30
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET

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