FDS6898AZ中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 9.40 A
针脚数 8
漏源极电阻 14 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1 V
输入电容 1.82 nF
栅电荷 16.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 9.40 A
上升时间 15.0 ns
输入电容Ciss 1821pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDS6898AZ
型号： FDS6898AZ
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6898AZ 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9.4 A, 20 V, 14 mohm, 4.5 V, 1 V
替代型号FDS6898AZ
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS6898AZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS6898AZ_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDS6898AZ和FDS6898AZ_NL的区别 |