FDN8601概述
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN8601 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 100 V, 0.0854 ohm, 10 V, 3 V
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It is suitable for primary DC-to-DC switch and load switch applications.
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
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- Fast switching speed
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- 100% UIL tested
FDN8601中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0854 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.5 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 27A
上升时间 1.3 ns
输入电容Ciss 210pF @50VVds
额定功率Max 600 mW
下降时间 3.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 1.4 mm
宽度 2.92 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDN8601引脚图与封装图 
在线购买FDN8601
型号： FDN8601
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN8601 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 100 V, 0.0854 ohm, 10 V, 3 V