N沟道MOSFET QFET® 200 V， 9 A， 280英里© N-Channel QFET® MOSFET 200 V, 9 A, 280 mΩ
N-Channel 200 V 9A Tc 2.5W Ta, 55W Tc Through Hole I-PAK
得捷:
MOSFET N-CH 200V 9A I-PAK
贸泽:
MOSFET 200V N-Channel QFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin3+Tab IPAK Rail
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin3+Tab IPAK Rail
额定电压DC 200 V
额定电流 9.00 A
通道数 1
漏源极电阻 280 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 910pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 55W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
长度 6.8 mm
宽度 2.5 mm
高度 6.3 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQU12N20TU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQU12N20 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQU12N20TU和FQU12N20的区别 |